韩国三星电子（Samsung）领先全球同业，于 2014 年 10 月抢先量产 3D 架构的 NAND 型闪存（Flash Memory）产品，不过三星竞争对手东芝（Toshiba）也拼了，除 3D Flash 专用厂房于 2015 年启用之外，还传出将海砸 4,000 亿日圆倍增 3D Flash 产能。
日本媒体日刊工业新闻 8 日报导，东芝计划携手 SanDisk 在日本三重县四日市市兴建一座 NAND Flash 新工厂，最快将在 2017 年度启用量产，目标为借此将采用 3D 架构的 NAND Flash 产能提高至现行 2 倍水准。据报导，上述 NAND Flash 新厂将座落在现行四日市工厂附近，预计将在 2016 年度动工兴建，投资额将超过 4,000 亿日圆，设备投资费用将由东芝和 SanDisk 均摊。
报导指出，3D Flash 需求看俏，东芝位于四日市工厂内的 3D Flash 专用厂房甫于 2015 年启用，而东芝计划借由兴建上述新工厂，来确保有充足的 3D Flash 产能，以因应市场需求。据报导，3D Flash 设备投资竞争激烈，韩国三星电子已利用中国西安工厂量产 3D Flash，美国美光（Micron）、韩国 SK Hynix 也已导入生产。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/The Conmunity – Pop Culture Geek CC BY 2.0）
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