韩国三星电子为全球第一家量产 3D 架构 NAND 型闪存（Flash Memory）的厂商，不过其NAND Flash 最大竞争对手东芝（Toshiba）追赶速度惊人，宣布已领先全球同业，研发出堆叠 64 层的 3D Flash 产品，且开始进行送样。
东芝 27 日发布新闻稿宣布，已研发出堆叠 64 层的 3D Flash 制程技术，并自今日起领先全球同业开始进行样品出货，且预计将透过甫于 7 月完工的四日市工厂“新第 2 厂房”进行生产。
东芝指出，采用上述制程技术的 256Gb（32GB）产品预计将在 2017 年前半开始进行量产，主要用来抢攻数据中心 / PC 用 SSD、以及智能手机、平板电脑、记忆卡等市场，且今后也计划推出 512Gb（64GB）产品。
东芝表示，和 48 层产品相比，此次新研发的 64 层产品每单位面积的记忆容量扩大至 1.4 倍，且每片晶圆所能生产的记忆容量增加、每 bit 成本也下滑。
日本科技网站 PC Watch 报导，美国 Western Digital 于当地时间 26 日宣布，已研发出全球首见的 64 层 3D Flash 技术，且已透过和东芝共同营运的四日市工厂开始进行试产，之后预计于 2017 年上半年内整备出可进行正式量产的体制。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：达志影像）
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