三星电子（Samsung Electronics Co.）决心要赶在台积电前，将新一代 3 奈米 GAA 制程技术商业化。
Business Korea 26日报导，三星“装置解决方案”（Device Solution，DS）事业部科技长Jeong Eun-seung 25日在线上召开的三星科技暨事业论坛（Samsung Tech & Career Forum）上指出，“我们的GAA制程开发进度领先主要竞争对手（台积电），若能确实巩固技术，则三星的晶圆代工事业有望进一步茁壮。”
报导称，三星举行论坛的目的是为了吸引全球工程师。GAA是3奈米制程技术的重要一环，近期有望获全球顶尖的晶圆代工商采纳，其关键在将晶体管架构从3D（FinFET）转换成4D（GAA）。三星指出，2019年跟客户测试3奈米GAA设计套件后发现，这种技术可将芯片面积缩减45%、省电效能提升50%。
Jeong 25日并表示，“三星2017年才成立晶圆代工事业，但以公司在内存专长，取代台积电指日可待。”他举例指出，三星曾领先台积电开发出一款采用FinFET技术的14MHz产品。
2011~2020年期间，全球有31.4%的GAA专利来自台积电，仅20.6%来自三星。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：三星）
延伸阅读：
- “DRAM 先生”陈大济：三星晶圆代工难超越台积电
