中国内存市场发展正方兴未艾，2016 年由紫光集团所主导的长江存储，在武汉投资 240 亿美元建设国家内存基地引起全球关注。韩国业界对此评估称，韩国与中国厂商间的技术差距仅剩 3 到 5 年的时间。因此有消息指出，为避免再度上演类似过去与 Rambus、东芝等半导体同业间的专利大战，SK 海力士近期特别于专利分析团队中新成立中国工作小组，以研究学习中国商业法、专利法等相关法律。
跟据韩国媒体《亚洲经济》引述 SK 海力士内部消息表示，SK 海力士的中国专利分析小组将采取无固定编制，相关成员可自由参与研究学习中国专利法等相关法律的模式来进行。由于当前中国半导体技术暂时还未能赶上韩国，因此 SK 海力士成立中国专利工作小组，只为提前应对未来可能发生的专利诉讼，而采取非正式编制的形式。
韩国的海力士半导体以致力生产 DRAM 和 NAND Flash 为主的半导体产品。2012 年 2 月，韩国第三大财团 SK 集团，宣布收购海力士 21.05%的 股份，进而入主这家内存大厂。目前在 SK 海力士在韩国有 4 条 8 吋晶圆生产线，一条 12 吋晶圆生产线。另外，在美国俄勒冈州还有一条 8 吋晶圆生产线。根据市调机构 IHS 的资料显示，2016 年 SK 海力士在全球 DRAM 市场占有率为 25.2%，仅次于三星电子的 48%，位居第二。但在 NAND Flash 闪存市场却仅有 10.1% 的市占率，位居第五，远落后于三星的 35.4%，以及东芝的 19.6%。
再从历来专利诉讼来看，SK 海力士面临的半导体专利诉讼案，均是与美国，或者日本半导体同业者有关的。其中，自 2000 年起，SK 海力士与美国半导体专利授权业者 Rambus 展开长达 13 年专利诉讼。最终在 2013 年，SK 海力士和 Rambus 签订了一个为期 5 年的专利授权协议，SK 海力士向 Rambus 支付 2.4 亿美元的专利授权费，按照每季度 1,200 万美元的方式支付，而 Rambus 则向 SK 海力士开放相应的内存专利授权。
而在 2004 年，SK 海力士与东芝展开为期 3 年，于日本和美国等地的 NAND Flash 专利侵权诉讼。直到 2007 年 3 月，双方才以专利交叉授权方式和解。另外，2014 年，因 NAND Flash 技术外流，东芝向 SK 海力士提出 1.1 兆韩圜（约 9.1 亿美元）规模的民事赔偿，造成双方关系一度破裂。最后，SK 海力士以支付 2.8 亿美元，相当诉讼规模 27% 的和解金与东芝达成协议，撤销诉松。此外，SK 海力士半导体部门与东芝间的专利交叉授权合约，与产品供应契约均获得了延长。
2015 年，美国内存大厂 SanDisk 曾控告旗下某职员于 2008 年跳槽后，将机密泄漏给 SK 海力士。但在双方达成和解后，SanDisk 同意撤回官司。之后，SK 海力士与 SanDisk 还进一步就专利授权取得新协议，海力士将支付 SanDisk 专利授权费，并供应 DRAM 给 SanDisk，时间将持续至 2023 年。
而有了过去费时又花钱的经验，加上近几年受到中国政府政策支持下的大陆半导体产业正在快速发展。因此，SK 海力士是否会遭受到如同过去一般的专利诉讼，其谁也不敢保证。因此，SK 海力士决定下手为强，成立中国专利工作小组，以防范于未然。当前虽然暂时中国的半导体技术上未追赶上韩国。但是，在韩国产业界评估，韩国与中国厂商间的技术差距仅剩3到5年的情况下，SK 海力士仍决定尽早防范未来可能的专利纷争。
(首图来源:Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0)
