甫与台积电进行专利诉讼官司和解，并签订 10 年交互授权协议的晶圆代工大厂格芯（GLOBALFOUNDRIES）于 5 日和 IC 设计厂 SiFive 携手，在台湾举办格罗方德技术大会（GTC）宣布，双方正在合作研发将高带宽内存（HBM2E）运用于格罗方德最近宣布的 12LP+ FinFET 解决方案，以扩展高性能 DRAM。12LP+ FinFET 解决方案将提供 2.5D 封装设计服务，可加速人工智能（AI）应用上市时间。
格芯表示，为了实现资料密集 AI 训练应用的容量和带宽，系统设计师面临在同时保持合理的功率标准下，将更多的带宽压缩到较小区域的艰钜挑战。因此，格罗方德的 12LP 平台和 12LP+ 解决方案，搭配 SiFive 的客制化高带宽内存界面，能使高带宽内存轻松整合到系统单芯片（SoC）解决方案，从而在运算和有线基础设施市场中，为 AI 应用提供快速、节能的数据处理。
另外，作为合作的一部分，设计人员还能使用 SiFive 的 RISC-V IP 产品组合和 DesignShare IP 生态系统，运用格芯 12LP+ 设计技术协同优化 （DTCO），大幅提高芯片的专门化，改善设计效率，在迅速又具成本效益的情况下提供差异化的 SoC 解决方案。
格芯进一步指出，旗下的 12LP+ 是一款针对 AI 训练和推理应用的创新解决方案，为设计人员提供高速、低功耗的 0.5Vmin SRAM 存取单元，支持处理器与内存之间快速、节能的数据传输。此外，用于 2.5D 封装的新中介层有助于将高带宽内存与处理器整合在一起，以实现快速、节能的数据处理。
目前，格芯正在位于美国纽约州马耳他的 8 号晶圆厂，进行 SiFive 用于 12LP 和 12LP+ 的 HBM2E 界面和客制 IP 解决方案的开发。客户将可在 2020 年上半年开始进行优化芯片设计，开发针对高性能计算和边缘 AI 应用的差异化解决方案。
（首图来源：格芯）
