香港商富士通亚太电子有限公司台湾分公司 8 日宣布推出业界最高密度 4 Mbit ReRAM（可变电阻式内存）产品 MB85AS4MT。此产品为富士通半导体与松下电器半导体合作开发的首款 ReRAM 产品。
MB85AS4MT 为 SPI 界面的 ReRAM 产品，能在 1.65 至 3.6 伏特电压下运作，并于最高时脉 5MHz 的读取操作下仅需 0.2mA 的平均消耗电流。
此全新产品适用于需要电池供电的穿戴式及医疗装置，例如助听器等需要高内存密度且低功耗的电子装置。
截至目前为止，富士通借由提供具有耐读写以及低功耗特性的 FRAM（铁电随机存取内存），以满足客户对远高于 EEPROM 以及串列式 Flash 等传统非挥发式内存的效能需求。
在将新款 4 Mbit ReRAM MB85AS4MT 加入其产品线后，富士通如今可进一步扩充产品选项，以满足客户多样化的需求。
MB85AS4MT 不仅能在电压 1.65 至 3.6 伏特之间的广泛范围内作业，还能透过 SPI 界面支援最高 5 MHz 的运作时脉，并在读取时仅需极低的作业电流（5MHz 时脉下平均仅消耗 0.2mA）。此外，此产品拥有业界非挥发性内存最低的读取功耗。
此全新产品采用 209mil 8-pin 的 SOP（small outline package），脚位与 EEPROM 等非挥发性内存产品相容。富士通在微型 8-pin SOP 封装中置入一个 4 Mbit 的内存，以超越串列界面 EEPROM 的最高密度。
富士通预期 MB85AS4MT 高密度且低功耗的特性可运用在电池供电的穿戴式装置、助听器等医疗装置，以及量表与感测器等物联网装置。富士通期盼未来持续提供各种产品与解决方案，以协助客户提升其应用的价值与便利性。
