现在全球市场芯片短缺,半导体行业处于供不应求的情况,价格随着水涨船高。当下 10nm 及更先进的制程工艺的量产技术被掌握在 Intel、台积电 和 Samsung 三家厂商手中。
虽然三家厂商都宣传采用了相同的制程工艺,但厂商的不同,其制程工艺的表现是否也会不一样呢?近期 Digitimes 给我们整理了三大晶圆厂在 10nm、7nm、5nm、3nm、2nm 技术节点的指标演进对比图。厂商之间的对比参数采用的是晶体管密度,即每平方毫米的晶体管数量。
10nm 工艺下,Intel 为每平方毫米 1.06亿颗晶体管,是 台积电 和 Samsung 的两倍。在 7nm 工艺下, Intel 可能做到每平方毫米 1.8亿颗晶体管,台积电为 9700万颗/平方毫米、Samsung 为 9500万颗/平方毫米,Intel 还是台积电和 Samsung 的两倍。而在 5nm 工艺,预计 Intel 可以做到每平方毫米 3亿颗晶体管,台积电为 1.73亿颗/平方毫米、Samsung 为 1.27亿颗/平方毫米,Intel 仍旧保持着两倍的差距。
通过一系列的数据发现,Intel 的 10nm工艺相当于台积电和 Samsung 的 7nm 工艺。而 Intel 的 7nm 工艺已经相当于台积电和 Samsung 当下最为先进的 5nm 制程量产技术。
值得一提的是,从 5nm 制程可以看到,Samsung 与 Intel、台积电之间的差距拉大,明显处于落后。在未来 3nm 制程工艺的背景下,台积电大概可以做到 2.9亿颗/平方毫米,Samsung 为 1.7亿颗/平方毫米,这个参数设置不如 Intel 的 7nm 工艺。