今年以来 DRAM 市场一直呈现供货吃紧、价格持续走扬的市况来规划未来需求，DRAM 厂纷纷决定自 2014 年第四季开始增加产能。
全球市场研究机构 TrendForce 旗下内存储存事业处 DRAMeXchange 研究协理吴雅婷表示，按照 DRAM 厂现有的规划，2015 年制程微缩与新增产能贡献产出年增率将逼近 30%，现有的 DRAM 产业的寡占架构将面临重大挑战，若明年总体经济状况不如预期，此举恐怕导致 DRAM 供过于求的情况再现，压缩 DRAM 厂现有的获利空间。
从供给端分析，由于三大 DRAM 厂皆面临制程微缩至 2Xnm 后生产复杂度变高，让总投片量下修的问题，DRAM 厂在寡占市场下的自律开始出现松动的情况。三星首先宣布位于韩国华城的新厂 S3 （Line17）将要使用部分产能作为 DRAM 生产，目前正处于机台移入的阶段，最快将于今年年底开始投片，初步以标准型内存为最优先生产，最大产能在明年下半年将达每月 60K，以全球 DRAM 每月 1,050K 的基准来计算，预估将增加约 5% 的 DRAM 新增产能。
面对三星来势汹汹的扩产计划，SK 海力士与美光审慎对应。SK 海力士在韩国利川的新厂 M14 将在明年落成，预计明年年中开始移入机台，根据目前规划总产能并不会增加，但难保不会跟进增加产能来巩固现有市占率。至于一向对资本支出与新增产能最为自律的美光，也因为转进 25nm 造成的产能下降，决定启动旗下台湾美光内存 R2 厂房的部分空间，以维持该厂每月 75K 的投片量。
