随着中国武汉新芯内存基地在 3 月 28 日正式启动，准备瞄准 NAND Flash 产业，并在 2030 年成为月产能 100 万片的半导体巨人，原本预估在武汉新芯自己有大规模产能，恐将威胁其他内存代工厂的情况下，其他厂商可能陆续退出市场。不过，却有厂商反其道而行。晶圆代工大厂联电就宣布，目前正积极规划切入利基型内存代工的市场，而且现正招聘人手中，并且逐步开始准备小量试产。
根据联电指出，联电现已针对切入利基型内存代工成立专案小组，并由甫加入联电担任副总经理的前瑞晶总经理陈正坤领军。至于，其他包括技术授权、与对岸合资计划，建厂进度，投资金额等内容，则待双方签订合约后才能公布。
另外，联电为扩大在内存市场的布局，也开始规划与大陆泉州市政府合作，在泉州兴建 12 吋晶圆厂，切入利基型内存代工。对此，联电内部也成立相关的专案小组，进行包括内存工程师人才的招募，以及在南科厂区设立小量产线试产等地工作。由于联电在本周即将召开相关内存制程的设备厂商大会，针对南科厂区的小型产线设备进行报价工作。因此，预计联电的内存代工事业将会自台湾开始出发，逐步再向中国市场扩展。
由于联电一直拥有嵌入式闪存技术，加上陈正坤进入联电集团之后，未来除了有机会抢进嵌入式闪存之外，还有机会在利基型 DRAM 市场一较长短。由于内存产业被中国政府列为重点发展，因此包括储存型闪存（NAND Flash）及利基型内存（DRAM）市场都将快速发展下，联电希望能借此取得一席之地。
不过，原本联电期望由与厦门市政府合资的联芯半导体，原本也打算争取列入中国国家级 NAND Flash 和 DRAM 指标企业，但最后却由清华紫光旗下的同方国芯出线。但是，联电却并未因此放弃在中国设立内存代工厂的计划，在泉州市政府积极争取与联电合资后，双方将准备在泉州设立中国南方首座内存代工业务，同时协助中国相关利基型内存 IC 设计公司成立，建构完整垂直生态供应链的方向迈进。
(首图来源:联电官网)
