今年半导体业资本支出可望首度突破 1,000 亿美元大关，达 1,071 亿美元，将增加 15%，研调机构 IC Insights 预期，明年半导体资本支出可能趋缓，将减少 12%。
IC Insights 预期，三星（Samsung）今年资本支出可能比去年的 242 亿美元减少，不过，仍将维持在 226 亿美元高档水准，还是会居全球半导体业之冠。
三星近两年资本支出合计将高达 468 亿美元规模，IC Insights 表示，除三星大举支出，SK 海力士（Hynix）等竞争对手支出也相当积极，已造成 3D 储存型闪存（NAND Flash）产能过剩。
IC Insights 指出，SK 海力士今年半导体资本支出可能增加 58%，增加的支出将主要集中在韩国的 3D NAND Flash 厂与中国无锡的动态随机存取内存（DRAM）厂。
IC Insights 说，当前动态随机存取内存（DRAM）市场疲软，可能延续到明年上半年，三星、SK 海力士与美光（Micron）3 大 DRAM 供应商的资本支出，可能从 2018 年的 454 亿美元，下滑到 2019 年的 375 亿美元，减少17%。
IC Insights 预期，明年整体半导体业资本支出可能较今年减少 12%；其中，三星、英特尔（Intel）、SK 海力士、台积电与美光 5 大厂明年资本支出将减少 14%，其余的半导体厂明年资本支出减少幅度可能较小，将减少约 7%。
（作者：张建中；首图来源：shutterstock）
