追求极限，台积电公布3nm工艺，明年就可以试产
2025-03-19
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在2020年，因为疫情的持续影响，导致许多行业都出现了下滑，其中包含着全球半导体行业。但奇怪的是，台积电的业绩却不降反升。
台积电业绩增长的原因在于掌握著 7nm、5nm 的先进工艺，更加受客服青睐。在今天的财报会上，台积电还公布了最新的 3nm 工艺详情，预计于 2022年下半年量产。
据悉，台积电原本是将于4月29日的美国举行技术论坛上展示 3nm 工艺详情，但是因为疫情原因将会议延长到 8月份。好在台积电“按捺不住”，提前在今天 Q1 财报会议上公布 3nm 工艺技术信息及进度。
根据台积电的揭露，目前 3nm 工艺研发符合预期，预计会于2021年进入风险试产阶段，2022年下半年量产。在技术方案上，台积电经过多种方案的评估，最终还是选择了 FinFET 工艺，因为其成本和能效更佳。
在未来 3nm 技术上，台积电最大的竞争对手为 Samsung，Samsung 对比台积电技术更加激进，将会直接使用GAA 环绕栅极晶体管。根据 Samsung 的信息，称 3nm 工艺将会比 7nm FinFET工艺，减少50%的能耗，增加30%的性能。可惜的是，Samsung 可能没有台积电研发顺利，原本计划在 2021年量产，但推迟到了 2022年。
随着 3nm 工艺的来临，将逼近硅基半导体的极限，虽然台积电称有信心推进到 2nm 甚至 1nm 工艺，但是需要解决不少的难题。
2020-04-22 13:21:00
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