内存大厂整军经武，准备展开新一波大战！据传三星电子和 SK 海力士（SK Hynix）将大买设备，积极投资 3D NAND Flash；另外 DRAM 也将转进新制程，拉高战力。
韩媒 etnews 6 日报导，内存大厂争相量产 3D NAND Flash，新制程和传统 NAND Flash 相比，差别在于从平面改为立体，能层层堆叠，提高效能。据了解，由 2D 转进 3D NAND Flash，显影制程不变，但是金属化和刻蚀步骤将分别增加 50~60%、30~40%，需要采购不少新设备。据了解，三星最早量产 3D NAND Flash，目前正在扩充西安 3D NAND Flash 厂产线，盼将堆叠层数从 32 层提高到 48 层。与此同时，SK 海力士也增加投资，预定今年下半量产 3D NAND Flash，将打造 36 层的 3D NAND Flash 产线。
DRAM 方面，今年下半，三星拟把 20 奈米 DRAM 制程比重提高到 20%，SK 海力士则要将 25 奈米 DRAM 制程比重提高至 60%。为了转进新制程，两家公司都将大肆采购。
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