根据韩国媒体报导，韩国内存大厂 SK 海力士于 10 月 4 日在韩国忠清北道清州举行 M15 半导体工厂启用典礼，并开始生产第 5 代 96 层堆叠的 3D NAND Flash 闪存，这也将巩固 SK 海力士全球第二大内存制造商的地位。
报导指出，SK 海力士在 M15 投资了 15 兆韩圜（约新台币 4,200 亿元），一开始将生产第 4 代 72 层堆叠 3D NAND Flash 闪存，然后从 2019 年初开始生产 96 层 3D NAND Flash 闪存。相较第 4 代 72 层堆叠产品，第 5 代 96 层堆叠 3D NAND Flash 闪存，在传输速度、容量、功耗都提高 30%~40%。
SK 海力士完成 M15 工厂有两大意义。首先，新工厂帮助 SK 海力士更积极因应全球对 3D NAND Flash 闪存的需求，NAND Flash 闪存因为工业 4.0 应用而快速成长。SK 海力士目前在 NAND Flash 市场排名第四或第五，预计借由扩大生产 96 层堆叠 3D NAND Flash 闪存，缩小与竞争对手三星、东芝、美光等企业的差距。
M15 工厂落成，也代表着 SK 海力士对 DRAM 的依赖可逐步减少。2017 全年，DRAM 占公司营业利益 90%，2018 年第 2 季 SK 海力士在全球 DRAM 市场排名第二，市占率为 29.6%。NAND Flash 闪存市场排名第四，市占率 11.1%。
由于全球 NAND Flash 闪存需求成长，使内存制造商增加投资 NAND Flash 闪存。如三星将投资 70 亿美元在中国西安建立第 2 家 NAND Flash 闪存制造工厂，并自 2019 年底前开始生产 48 层堆叠 NAND Flash 闪存。东芝方面，近期在日本建造了一座类似的工厂，最近也完成 32 堆叠层 NAND Flash 闪存开发，计划从 2018 年底开始生产。
除了三星与东芝，扩产最积极的就属中国厂商。SK 海力士的 M15 工厂未来生产的 96 层堆叠 NAND Flash 闪存，将成为 SK 海力士对抗中国竞争者的利器。目前韩国、美国和日本等内存公司正在积极开发 96 层堆叠 NAND Flash 闪存。2017 年 6 月，东芝与威腾电子合作开发该技术，且于日前正式生产。美光科技方面，则计划在 2017 年与英特尔完成开发，三星在 2018 年 5 月正式宣布供应 90 层堆叠产品。
根据相关业者表示，M15 工厂未来成功营运后，可有效改善 SK 海力士目前业务结构。相较 SK 海力士，三星在 DRAM 和 NAND Flash 的比重为 60% 和 40%。之前，SK 海力士愿意参与贝恩资本发起的“美日韩联盟”，投资不少于 4 兆韩圜（约新台币 1,100 亿元），参与竞标东芝半导体经营权，就是想降低对 DRAM 产品的依赖。
根据 SK 海力士 2018 年第 2 季财报，营业利益较 2017 年同期的 3.1 兆韩圜（约新台币 846 亿元）上升 83%，来到 5.6 兆韩圜（约新台币 1,528.5 亿元），也优于市场预期的 5.4 兆韩圜（约新台币 1,474 亿元）。营收年增 55%，达到创纪录的 10.4 兆韩圜。其中，DRAM 占 80% 销量，NAND Flash 则占 18%。
（首图来源：Flickr/Kimber Jakes CC BY 2.0）
