全球芯片微影技术领导厂商艾司摩尔（ASML）今日证实该公司的 NXE:3300B EUV 极紫外光（EUV）微影系统在 TSMC 成功达到单日曝光超过 1,000 片晶圆的目标，不但再次刷新 EUV 微影系统生产力新纪录，更为 EUV 微影技术用于先进制程量产注入强心针。
在 23 日于美西举行的 SPIE 先进微影论坛中，TSMC 研发处长严涛南指出 :“在我们近期的一项测试中，成功使用 ASML 的 NXE:3300B 极紫外光微影系统于 24 小时内，以超过 90 瓦的稳定光源功率（source power）连续曝光 1,022 片晶圆。我们很满意这项测试结果，而这也让我们看到 ASML EUV 微影系统的潜力。”
TSMC 曾表示将希望将 EUV 微影系统用于量产。目前 TSMC 已安装 2 台 NXE:3300B 极紫外光微影系统，另有 2 台新一代极紫外光微影系统 NXE:3350B 将于今年完成出货。原先已安装的 2 台 NXE:3300B 也将升级到 NXE:3350B 的效能。
ASML EUV 服务及产品行销副总裁 Hans Meiling 表示 :“在 TSMC 完成的这项测试结果不仅证明 NXE:3300B 极紫外光微影系统的效能无庸置疑，也让我们对于在 2015 年底前达成单日曝光 1,000 片晶圆的目标深具信心。我们将会持续提高光源功率、提升系统妥善率（availability），并尽力在各个客户端达到相同的测试结果。”
截至今日，ASML 已累计出货 8 台 NXE:3300B EUV 微影系统，并都已于客户端展现稳定的效能，跨越单日曝光 500 片晶圆的门槛，间接证明 EUV 微影系统已可用于 10 奈米的试产。依据 ASML 与芯片制造商共同规划的 EUV 微影系统发展进度，2015 年底前必须达到单日曝光 1,000 片晶圆，2016 年底前更必须达到单日曝光 1,500 片晶圆的生产力，才能符合量产需求。
