日本总和情报网站 Gadget 速报 17 日转述 Fudzilla 的报导指出，据可靠的消息人士透露，高通（Qualcomm）采用 10nm FinFET 制程生产的骁龙（Snapdragon）830 处理器将在今年内发表，且搭载该款处理器的智能手机产品（首发机）将在 2017 年 Q1 现身。
据报导，除骁龙 830 之外，目前也已知有比现行骁龙 820 拥有更高性能的骁龙 823 处理器的存在，而该款骁龙 823 产品似乎将持续采用 14nm FinFET 制程。
报导指出，从搭载骁龙 830 的智能手机可能会在明年 Q1 现身这点来看，骁龙 830 可能将搭载在三星Galaxy S7、LG G5、小米 Mi 5 或宏达电（HTC）HTC 10 等旗舰机种的后继机种上。
微博爆料客i冰宇宙曾于 1 月 22 日爆料称，高通骁龙 830（代号为“MSM8998”）将采用三星 10nm 制程，搭载改良版“Kryo”架构，且将支援 8GB RAM，预计将在 2017 年初发布。
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