日前传出全球 DRAM 龙头厂三星电子恐会在 2016 年、2017 年带头砍产能，且减产幅度更将居业界之冠，不过全球第 3 大DRAM 厂美光（Micron Technology）秉持着“逆势时更应该积极投资”的态度，传出将豪砸千亿日圆在日本量产采用全球最先端技术的 DRAM，扩增产能。
日经新闻 12 日报导，美光计划于今后 1 年内对日本广岛工厂豪砸 1,000 亿日圆资金，导入最新生产设备，量产全球最先端、采用 16nm 制程技术的 DRAM 产品，且目标为在 2016 年上半年确立 16nm DRAM 的量产技术。
报导指出，目前半导体市况虽疲弱，不过美光期望借由在逆势时持续进行积极投资，对抗全球龙头厂三星；美光也于上年度（截至 2015 年 8 月底为止的会计年度）对广岛工厂砸下 1,000 亿日圆资金进行增产，故此将为美光连续第 2 年对广岛工厂进行钜额投资。
据报导，和现行 20nm 制程相比，采用 16nm 制程的每片晶圆可取得的内存数量将增加，预估产能将可提高 2-3 成，而待上述广岛工厂确立 16nm DRAM量产技术之后，美光预估也会对位于日本、美国、台湾等地的工厂中的其中一座进行追加增产投资；韩国三星电子目前也量产采用 20nm 制程技术的 DRAM 产品，且也正为量产次世代 DRAM 产品做准备。
根据报导，美光最高营运负责人（CEO）Mark Duncan 接受日经新闻专访时表示，市况严峻的时候，才更应该积极投资确立先进技术；他说，行动装置需求持续走扬，加上每台智能手机搭载的内存容量变大，故内存市场的未来完全不用悲观。
据报导，美光今年度（截至 2016 年 8 月为止的会计年度）用于设备投资、研发的费用将年增 4 成至 58 亿美元，且投资对象主要为 DARM 和 NAND Flash 等两大内存事业。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/Matt Kieffer CC BY 2.0）
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