根据 TrendForce 内存储存研究（DRAMe Xchange）调查显示，2017 年第四季 DRAM 产业营收表现再创历史新高。价格方面来看，受行动式内存接棒涨价带动，以及智能手机旗舰机种的旺季效应，以三星为首的 DRAM 厂拉抬行动式内存报价，带动行动式内存在第四季有 5%~20% 不等的涨幅（取决于不同的容量），其余各类 DRAM 产品合约价亦普遍较前季再上涨约 5%~10%。2017 年第四季 DRAM 产值较上季再成长 14.2%，全年产值成长率达 76%。
DRAMeXchange 资深研究协理吴雅婷指出，展望 2018 年第一季，PC-OEM 厂已陆续议定合约价格，就一线大厂订价来看，PC DRAM 均价已来到 33 美元，较上一季平均涨幅约达 5%；以北美四大网络服务提供业者为首的资料中心拉货动能仍强，带动本季服务器内存价格上涨 3%~5%。至于智能手机第一季买气较原先预期低迷，加上 NAND 跌价与中国发改委因素影响，行动式内存价格涨幅较先前收敛，平均价格小幅上涨约 3%。整体产值来看，DRAMeXchange 预估，2018 年 DRAM 产业产值将成长超过三成，规模达 960 亿美元。
观察各厂 2017 年第四季营收表现，三星依然稳坐 DRAM 产业龙头，营收达 101 亿美元，较上季成长 14.5%，再度创下历史新高；SK 海力士营收冲至 63 亿美元，较前季成长 14.1%，两大韩厂的市占率各为 46.0% 与 28.7%，合计已囊括 74. 7% 市占率；美光集团仍旧维持第三，营收达 46 亿美元，季增 13.4%，市占 20.8%。
受到价格持续上涨以及制程微缩所带来的成本效益，三星第四季营业利益率再度改写历史新高，由 62% 上升至 64%；SK 海力士亦从第三季的 56% 再提升至 59%；美光则从 50% 拉升至 53%。展望 2018 年第一季，受惠于 DRAM 价格持续上涨与制程转进所带来的成本效益，三大厂在营收表现上可望再创新猷，各家获利率也可望进一步提升。
三星开启新一波扩产计划，SK 海力士 2019 年开出新产能计划不变
从技术面来看，三星今年的目标除了持续提升 18nm 制程产出比重外，为期近两年 DRAM 涨价带动 DRAM 供应商高获利，以及中国潜在竞争者加入，也让三星决定展开新一波扩产计划，将原本规划做 NAND Flash 的平泽厂 2 楼空间投入生产 DRAM，一方面因应 DRAM 供给吃紧状况，另一方面借由减少未来 NAND Flash 投片量，来抑制 NAND Flash 的跌价速度，DRAMeXchange 指出，此举对整体内存产业属健康发展，并非坏事。
此外，SK 海力士去年底开始导入 18nm 生产，但进入 1Xnm 世代制程难度高、转换不易，SK 海力士目前仍致力于提升 18nm 良率；扩厂计划则维持不变，SK 海力士最快要到 2019 年才会在中国无锡新建的第二座 12 吋厂看到产能开出。美光在技术布局方面，台湾美光内存（原瑞晶）17nm 目前产出比重已超过九成，预计今年第二季初将完成转换，而台湾美光晶圆科技（原华亚科）计划今年中开始进行 20nm 往 17nm 转换， 预计今年底可望有一半产能转往 17nm 生产，并于明年上半年全数导入。
台系厂商部分，南亚科第四季营收较前一季大幅成长 26.9%，主要归功于 20nm 转换良率超乎预期，以及价格持续走扬带动。20nm 的成本效益拉升营业利益率至 38.9%，较前一季成长 7 个百分点。展望未来，由于该公司 20nm 良率继续提升，将会持续改善其成本结构，增加获利空间。
力晶科技方面，2017 年第四季 DRAM 营收季持平，主要还是替晶豪科、爱普等 IC 设计业者代工的获利较佳，力晶本身 DRAM 产能转向更高毛利的产品；华邦方面 DRAM 营收则下滑 2.2%，主因为 DRAM 产能受 NOR Flash 产能压缩导致。
（首图来源：shutterstock）
