根据韩联社的报导，韩国内存大厂 SK 海力士（SK Hynix）于 10 日宣布，研发出全球首款，容量 256Gb 的第 4 代 72 层堆叠 3D NAND Flash，预计 2017 年下半年量产。而该产品量产后，将超越日前由日本半导体大厂东芝（Toshiba）所推出的容量 256Gb 的 64 层 3D NAND Flash 的储存密度。
报导指出，NAND Flash 内存供应商为满足客户不断增加的储存空间需求，正不断强化 3D 堆叠设计，提升 NAND Flash 的储存密度。其中，虽然韩国内存大厂三星电子和东芝都已经研发出 3D NAND Flash，但仅堆叠到 64 层。而本次，SK 海力士研发出的 3D NAND Flash 达到 72 层架构，与其他两家公司的产品相同，SK 海力士的 72 层架构 3D NAND Flash 也提供 256Gb 的储存容量。
报导中进一步强调，SK 海力士自从 2016 年第 2 季开始量产 36 层堆叠架构的 3D NAND Flash（128Gb），同年 11 月，开始量产 48 层堆叠架构的 3D NAND Flash（256Gb）。根据 SK 海力士内部一位负责人表示，成功研发出 72 层堆叠架构的 3D NAND Flash，意味着公司已掌握产业中最顶尖的技术。
当前，由人工智能（AI）、大数据等资讯科学领导的第 4 次工业革命方兴未艾，使 3D NAND Flash 的需求达到爆发式成长。根据市场调查机构 Gartner 公布的资料显示，2017 年全球 NAND Flash 市场规模达 465 亿美元。而到 2021 年，市场规模可望达到 565 亿美元，这使各家大厂纷纷加入，抢食大饼。
（首图来源：SK Hynix）
