随着当前智能手机、SSD 等产品的市场需求强烈，包括闪存、内存等储存芯片需求大量成长，近期价格也摆脱低潮，持续上涨，这样的机会点这也给了中国相关企业介入储存芯片市场的发展契机。根据外电的报导，在这波储存芯片的热潮下，中国本身也将在 2017 年推出 32 层堆叠的 3D NAND 闪存。虽然，这样的技术相较韩国三星、日本东芝等国际大厂来说仍有落差，但总是为中国闪存市场跨出第一步。
在中国发展半导体产业的规划中，储存芯片的发展名列最优先位置，也是全国各地都抢著争取的专案。其中，中国国家级的储存芯片基地在武汉，目前投资超过 240 亿美元（约新台币 7,563 亿元）。之前由新芯科技主导，在 2016 年 7 月份紫光集团收购了新芯科技大多数股权之后，现在已经变成了紫光集团主导，并预计 2017 年正式推出自主生产的 32 层堆叠 3D NAND 闪存。
2015 年，国家级储存芯片基地确定落脚武汉之后，由武汉新芯科技公司负责建设的 12 吋晶圆厂，已经于 2016 年 3 月份正式动工。整个计划预计分为三期，现在启动的是第一期，主要目标是生产 3D NAND 闪存为主。而在 2018 年将启动的第二期建设，规划是上则是以 DRAM 内存为主。至于， 2019 年启动第三期建设，主要目标则为晶圆代工服务。而产能部分，2020 年目标为每月 30 万片，到了 2030 年则是每月 100 万片。
2016 年 7 月份，紫光集团收购了新芯科技多数股份之后，随即成立了武汉长江存储科技 （TRST），紫光集团持股超过 50% ，董事长赵伟国也将兼任长江存储科技的董事长。这事情所显示出的意义，即是紫光集团在收购美光触礁，购并 WD 也不成功的情况下，现在总算是可以正式进军储存芯片领域。而且根据规划，长江存储最快在 2017 年底，就将正式推出中国本土生产的 32 层堆叠 3D NAND 闪存。
过去，新芯科技主要以生产 NOR 闪存为主，而当前的 NAND 闪存其技术层次要高于 NOR 闪存，而主要技术来源是飞索半导体（Spansion）。因此，考虑到与国际大厂三星、Hynix、东芝、美光、Intel 等公司的技术差距，中国本土生产的 32 层堆叠 3D NAND 闪存的其已经有一定的技术层次。只是，2017 年底推出时，这些国际大厂包括 48 层堆叠，甚至是 64 层堆叠的 3D NAND 闪存可能早已经问世。
不过，在中国自主发展储存芯片的政策，而且相关业者在政府扶持的情况下，未来技术上依旧会持续追赶。以新芯科技来说，在 2017 年推出 32 层堆叠 3D NAND 闪存，也预计将在 2018 年底前推出 48 层堆叠的 3D NAND 闪存，逐步缩小技术上的差距。
(首图来源: 达志影像)
