就在威腾电子 (Western Digital ) 与日本半导体大厂东芝 (Toshiba) 就出售半导体部门，给予贝恩资本 (Bain Capital) 所领军的美日韩联盟一事达成和解之后，日前威腾电子召开会议，主要讨论关于与东芝合作的各项协议细则。另外，还提出 NAND 闪存的生产计划，并宣布开始将 96 层堆叠的 3D NAND 闪存交付零售商贩售。
在会议上，威腾电子报告了采用BiCS3和BiCS4 等3D NAND闪存的生产状况。由于 BiCS3 技术所生产的 3D NAND 闪存，最大堆叠数目只能到 64 层堆叠，而 BiCS4 技术所生产的 3D NAND 闪存，其最大堆叠数目可达到 96 层堆叠，容量足足增加 50%，显示在单位面积内容纳更多的内存，所以也获得各家业者的重视。
而事实上，之前威腾电子就已经订定过一个目标，希望 2017 年采用 BiCS3 技术生产的 64 层 3D NAND 闪存，要达到占威腾电子 3D NAND 闪存总产量的 75%。不过，现在这个数字有望能提升到 90% 以上。只是，威腾电子的闪存类型还没完全从 2D NAND 转换成 3D NAND，现在 3D NAND 闪存的产量的只占威腾电子总产量的 65%。换言之，威腾电子所生产的所有闪存中还有 1/3 为 2D NAND 闪存。
另外，本月 12 号，威腾电子也宣布采用 BiCS4 技术的 96 层 3D NAND 闪存已经出货给零售商。而且，不只提供当前的 TLC 主流类型，还提供更先进的 QLC 类型。虽然在使用上，TLC 类型与 QLC 类型的 3D NAND 闪存并没有任何的区别，但却能提供更高的可靠性与效能。而此次威腾电子出货给零售商，采用 BiCS4 技术的 96 层 3D NAND 闪存，不论 TLC 类型或 QLC 类型包含 256Gb 和 512Gb 两种规格，但是采用 BiCS4 技术的 QLC 的内存还可以有 768Gb 甚至 1Tb 这两种规格。
威腾电子表示，从 2D NAND 制程转向 3D NAND 制程过程非常繁琐，他们也认为这个计划的执行时间比原定时间延迟了大约 6 个月的时间。不过，未来预计从 2D NAND 闪存彻底转向 3D 闪存的过程将不会用太长时间。如此才比较符合威腾电子的营运效益，并且应付当前短缺的 3D NAND 闪存市场需求。
(首图来源:威腾电子提供)
