SEMI 报告分析，今年全球晶圆厂投资金额将下修至成长 10%，明年下修至衰退 8%。内存价格下跌与美中贸易战影响公司投资计划改变，是晶圆厂资本投资快速下滑两大主因。
根据国际半导体产业协会（SEMI）公布全球晶圆厂预测报告（World Fab Forecast Report），今年与 2019 年全球晶圆厂设备投资金额将下修，今年的投资金额将较 8 月时预测成长 14%，下修至成长 10%；2019 年投资金额更将从原先预测的成长 7%，下修至衰退 8%。
SEMI 指出，在今年 8 月时综合收集分析全球超过 400 间晶圆厂主要投资计划后，预测今年下半年到 2019 上半年，晶圆厂投资金额将呈现下滑态势。有鉴于近期市场情势，下滑幅度恐将较原先预期更为剧烈。
报告指出，今年下半年及 2019 上半年晶圆设备销售金额分别将下滑 13 及 16 个百分点，直到 2019 下半年才有望出现转圜。
SEMI 台湾区总裁曹世纶表示，内存价格下跌与美中贸易战之下，导致公司投资计划改变，是晶圆厂资本投资快速下滑两大主因，其中又以先进内存制造商、中国晶圆厂及 28 奈米或以上成熟制程业者的资本支出缩减，影响全球市场最剧。
其中在内存部分，SEMI 指出，继今年初 NAND 型闪存价格急遽下滑后，动态随机存取内存（DRAM）价格也在第四季松动，连两年的 DRAM 盛世恐将结束。存货调整及中央处理器（CPU）产量不足，将导致更剧烈的价格滑动。
SEMI 指出，内存业者快速反应市场情况，并减少资本支出，暂缓已订购设备出货。NAND 闪存相关投资，甚至将出现两位数的衰退。
SEMI 修正先前内存资本支出将成长 3% 的预测，预估 2019 年整体内存资本支出将下滑 19%，其中 DRAM 下滑最剧烈，下滑幅度达 23%，3D NAND 内存下滑 13%。
以地区来看，SEMI 指出，中国及韩国是投资金额下滑幅度最大两个地区。
在中国市场，原因包括内存市场、美中贸易紧张关系及建厂计划延宕等，包括 SK 海力士（SK Hynix）、GLOBALFOUNDRIES、联电、中芯国际等半导体制造业者，暂缓在中国的投资力道，福建晋华案也使 DRAM 投资计划暂停。
虽然晶圆预测报告中指出大部分内存厂计划减少资本投资，但美光（Micron）例外。SEMI 预估 2019 年美光将投资约 105 亿美元，相较今年的 82 亿美元投资金额提高约 28%。投资主要计划用于扩张及升级既有厂房设施。
SEMI 指出，在内存以外包括光电、晶圆代工、类比及混和讯号 IC、微控制器及处理器等其他领域，资本投资力道将持续。
（作者：锺荣峰；首图来源：shutterstock）
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