三星电子(Samsung Electronics Co.)为了避免客户转单给台积电，已正式将 10 奈米 FinFET 纳入半导体制程技术的开发蓝图（Roadmap）！
Androidheadlines.com、Fudzilla 22 日报导，三星晶圆代工事业部(Samsung Foundry)发言人 Kelvin Low 21 日在 YouTube 发布影片宣布，三星已在 6 月份正式将 10 奈米 FinFET 制程纳入开发蓝图，预计明（2016）年底就能进入量产的阶段。
他指出，对行动、消费与网络产品的芯片设计商而言，10 奈米 FinFET 能显著提升芯片的运算效能与省电表现。
三星、台积电相互较劲的意味相当浓厚。台积电甫于 5 月 21 日发布新闻稿宣布，位于中科的台积晶圆十五厂新建厂区，将用于 10 奈米技术的量产，预计在明年中开始安装机台，并于后年生产。
EE Times 随即于 5 月 22 日报导，三星在一场公司会议上宣布了 10 奈米的消息，并透露这个制程明（2016）年底就会全面投产，与台积电的时程大致相同。三星晶圆代工部门副总裁 Hong Hao 表示，该公司的 10 奈米制程在电力、面积与效能方面拥有强大优势，应用的市场非常广泛。
Fudzilla 日前报导，被台积电寄予厚望的 10 奈米研发进度目前已上轨道，预计在 2016 年第四季导入量产、2017 年第一季出货。另外，台积电对 10 奈米与 7 奈米的制程布局采同步进行，台积电共同首席执行官刘德音（Mark Liu）透露更先进的 7 奈米在 2017 年第二季也将进入制样认证阶段，距离 10 奈米制样仅相隔 5 季的时间，如与英特尔（Intel Corp.）放慢脚步作对照，台积电冲刺先进制程显得非常积极。
VR-Zone、G 4 Games 2 月 25 日引述 ZDNet Korea 报导，三星电子曾在 2 月 22-26 日于旧金山举办的国际固态电路会议（International Solid State Circuit Conference，ISSCC）上展示了全球首见的 10 奈米 FinFET 半导体制程，有望抢在英特尔之前打造出第一款 10 奈米行动芯片组。
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