内存的重大突破出现！7 月 29 日美光与英特尔共同发表新型非挥发性内存芯片 3D XPoint，且可同时取代 DRAM 与 NAND 在运算端的需求，据官方发表的资讯，速度将可提升到 NAND Flash 的 1,000 倍、密度将比 DRAM 高出 10 倍，处理器与资料之间的延迟将可被降低，当分析速度加快，也开启了更大的运用范畴，机器学习、即时追踪疾病以及超拟真 8K 游戏等在未来都将成为可能。
半导体产业每隔几年总有新型内存技术发表，诸如惠普、IBM、还有飞思卡尔等都尝试过创造要比现有技术更快、密度更高、成本更低廉或各种条件权衡之下的替代品，但大多都因为昂贵、易碎等因素难以取代主流技术。
英特尔与美光早在 2005 年即一同携手进军 NAND Flash 市场，7 月 29 日又再一同发表新的 3D XPoint 非挥发性内存，成为挑战者之一，且意图做个革新者，3D XPoint 技术意图取代 DRAM 与 NAND Falsh 在运算端的需求，官方新闻稿声称，已在成本与功耗、效能之间取得平衡。
3D X point 为独立在 DRAM 与 NAND 以外的全新“Non-Volatile Memory Form Factor”，英特尔称此为 1989 年 NAND 快闪芯片推出以来，第一个新的内存类别。
（Source：Fortune）
其不像 DRAM，3D X point 不需要晶体管就可以执行读写，结构上近似现在较先进的 3D NAND 技术皆为 3D 架构，但不像 NAND 以电荷将资讯储存于元件，而是储存在架构中字组线（word line）与位元线（bit line）的交叉点上，系统因此得以单独存取每个储存单元，当系统能以小单位读取与写入资料，读写程序将变得更快，目前官方给的讯息，内存储存单元配置共 1,280 亿个，且为可堆叠，目前初步技术堆叠至两层、每个晶粒能储存 128Gb，未来将持续发展更高层的堆叠技术增加储存容量。
英特尔声称，3D X point 的密度比 DRAM 高出 10 倍，速度与耐用度比 NAND 高出 1,000 倍。先前三星推出 8Gb DDR4 DRAM，新技术的发表让美光也放话，未来将可提供容量高达 2TB、密度比 DRAM 高 125 倍的 DRAM 芯片。
3D X point 基本上大幅降低了处理器与资料之间的延迟，预估未来也将有更多崭新的运用，拓展出机器学习、即时追踪疾病以及超拟真 8K 游戏等发展。
英特尔表示，3D X point 将于 2015 年稍晚送样给特定客户，而英特尔与美光目前已开始着手开发包含 3D X point 技术的相关产品。内存储存相关调研机构 DRAMeXchange 预估，初期 3D X point 该将先出现于高阶的服务器与商业应用端。
受到新技术发表的激励，英特尔股价 28 日上涨了 2.15% 收在 28.96 美元、美光股价更劲扬了 9%，来到 19.75 美元。
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