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SK 海力士涉窃 NAND Flash 机密!东芝求偿千亿日圆

2024-11-25 203

Thomson Reuters 报导,韩国半导体大厂 SK 海力士(SK Hynix)于 21 日宣布,关于日本东芝(Toshiba)在东京对 SK 海力士所提起的 NAND Flash 机密外泄诉讼一事,东芝所提出的求偿金额为 1,091.5 亿日圆。

上述求偿案件起因于一名曾任东芝合作企业的工程师涉嫌在 2008 年 7 月偷偷复制东芝 NAND Flash 资料,随后跳槽 SK 海力士,将机密技术交给该公司,而东芝于今年 3 月向东京地院控告 SK 海力士窃取商业机密。

除东芝控告 SK 海力士之外,其合作伙伴 SanDisk 也于 3 月向美国圣塔克拉拉高等法院递状控告 SK 海力士窃取商业机密,将对 SK 海力士寻求损害赔偿、并要求法院下达禁制令;另外,SanDisk 也向东京警视厅(Tokyo Metropolitan Police Department)对盗取机密的前任员工提起刑事告诉。SanDisk 与东芝的合资关系已缔结近 15 年之久,双方在四日市拥有合资厂房。

另据华尔街日报(WSJ)日文版指出,东芝重申,上述求偿案件不影响东芝/SK 海力士所进行的次世代内存共同研发计划。

东芝目前正和 SK 海力士携手研发次世代内存“磁电阻式随机存取内存(Magnetoresistive Random Access Memory;MRAM)”。

(MoneyDJ新闻 蔡承启 报导)

2019-04-12 15:30:00

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