美国内存厂美光（Micron）宣布包括动态随机存取内存（DRAM）与储存型闪存（NAND Flash）将同步减产 5%，恐对半导体硅晶圆市场需求造成冲击，为硅晶圆后市添增变数。
DRAM 与 NAND Flash 市场供过于求，美光第二季（至 2 月 28 日止）DRAM 与 NAND Flash 平均售价同步重挫逾 2 成，连带影响营收与毛利率同步滑落。
美光第三季营运展望保守，预期季营收将约 46 亿至 50 亿美元，若以中间值 48 亿美元计，恐再季减 17%，毛利率也将自第二季的 50%，进一步滑落到 37% 至 40%，美光决定同步减少 DRAM 与 NAND Flash 投片量约 5%。
半导体硅晶圆厂先前对内存客户需求多持正面看法，认为内存客户在营运依然维持获利状态下，不致采取减产策略，对硅晶圆的需求应不会受产品价格滑落影响。
只是美光决定减产，出乎硅晶圆厂预料，势将对硅晶圆市场造成冲击，恐使得硅晶圆厂面临晶圆代工与内存两大类客户需求同步减缓的压力，将为硅晶圆后市添增变数。
半导体硅晶圆厂环球晶在有长约保护下，今年营运仍可望成长，不过，环球晶仍坦言第二季将面临较大逆风，营收可能仅较第一季持平表现，全年营收将成长 1% 至 3%，成长幅度将远低于去年的 27.81%。
另一硅晶圆厂台胜科因以现货市场为主，在缺乏长约保护下，客户需求趋缓情况相对明显，今年前 2 月营收新台币 23.75 亿元，即较去年同期减少 5.71%，营运面临修正压力。
（作者：张建中；首图来源：shutterstock）
延伸阅读：
- 美光：库存金额季增逾一成，DRAM 晶圆投片量拟减 5%
