2015 年 9 月 16 日高通公司发表下世代快速充电技术，QuickCharge 3.0 首次采用智能电压协作算法，在测试中一台普通的智能手机从零电量充电到 80% 仅耗时 35 分钟，充电速度提升了两倍，QuickCharge 3.0 将整合在部分高通 Snapdragon 处理器中，包括最新推出的 Snapdragon 820 / 620 / 618 / 617 / 430，覆盖了中高阶的智能手机产品。
在智能手机处理器、屏幕等核心模组性能突飞猛进的时代，手机电池技术则没有太大幅度的提升，电池容量和续航时间成为了智能手机性能提升的一大瓶颈，在电池技术无法在短时间内实现升级的状况下，许多手机厂商以快速充电为突破口，提高充电效率也缓解电池容量不足的问题。
2015 年 9 月16 日高通公司发表适用于手机处理器的快速充电技术 Quick Charge 3.0，这是全球首个采用智能电压协作算法的快速充电技术，该技术由高通公司研发，可根据行动装置的属性不同选择最佳的供电电压，从 5V 到 20V 间以 200mV为单位调整，实现电量传输效率的最大化。相比于 Quick Charge 2.0 技术，第三代快速充电技术在同平台的充电时间上提升了两倍多，功率损耗降低 45%，一台普通的智能手机从零电量充电到80%，第二代技术需要 90 分钟，第三代技术仅需要35 分钟，充电效率的提升，还可以延长电池的使用寿命。Quick Charge 3.0 对于充电界面和适配器是向后相容，所有适用于 Quick Charge 技术的界面和适配器都可以搭配 Quick Charge 3.0 的产品使用，便于手机厂商开发新品。Quick Charge 3.0 将作为高通中高阶处理器的选配功能推出，Snapdragon 820 / 620 / 617 / 618 / 430 均可配置 Quick Charge 3.0，这也是高通在未来一年主推的几款处理器产品。
- Qualcomm Introduces Next-Generation Fast Charging Technology with Quick Charge 3.0
