旺宏电子董事会决议通过明年新增资本支出新台币 8.65 亿元，并继续与 IBM 合作开发相变化内存。
尽管内存行情明年不被看好，但旺宏对于未来展望仍审慎乐观，预期高阶快闪型内存如 NOR Flash 等市场仍会持续成长，产品价格应还算稳定。且在今年 10 月底通过资本支出预算为新台币 142 亿元，自第 4 季起开始投资，以提升公司 12 吋晶圆厂高阶产能及研发需求。
董事长吴敏求于此前法说会时曾强调，将把制程从 36 奈米升级至 19 奈米，以强化 NAND Flash 的竞争力。且自 2001 年开始，旺宏就已成立前瞻技术实验室，并且投入相变化内存的研发，2004 年与 IBM 签署“合作研发相变化非挥发性内存”联盟协定，如今过了十几年，仍然没有放弃。
相变化内存（Phase-change memory，PCM）是一种非挥发性内存装置，其特色是使用硫族化物玻璃（Chalcogenide glass）制成。硫属玻璃的特性是透过改变温度可以成为晶体或非晶体并具有不同的电阻，以此来储存不同的数值，是未来可能取代闪存的技术之一，目前许多国际大厂如英特尔、三星等都有投入研发。
IBM 指出，PCM 的速度比现有的闪存快近百倍，而读写次数甚至可达千万次，而英特尔和美光在近年所推出的 3D Xpoint 技术更号称是比闪存快 1,000 倍的技术。目前 PCM 的试验品已展现出极佳的性能，尤其是制程的进步将使 PCM 技术趋于成熟，但降低成本恐怕才是最大的挑战。目前在中国方面也有消息称，江苏时代芯存半导体即将于明年第一季量产 PCM 内存。
虽然 PCM 内存技术看似即将成熟，但到普及恐怕还需要一点时间，但为了因应新兴科技的发展，高速储存装置仍然是不可或缺的技术，也是市场关注的焦点。旺宏表示，记忆形式的储存级内存是未来的趋势。
（首图来源：旺宏）
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