当前，不论 DRAM 还是 NAND Flash 等内存，中国市场基本上 100% 依赖进口，这使得其产业发展需求也最为迫切。因此，现阶段在中国政府的支持下，除了紫光集团旗下的长江存储已经在武汉建设 NAND Flash 工厂，预计 2018 年下半年量产之外，其他包括安徽合肥、福建晋江也有团队在进行 DRAM 研发，这使得未来几年，中国生产内存就会逐渐进入市场。对此，韩国企业也开始关注中国竞争对手的加入。韩国预测，在 2022 年时会因为中国竞争的影响，韩国企业将减少 78 亿美元的内存的销售金额。
根据韩国媒体《etnews》的报导，韩国产业技术振兴院日前发布了一份名为 “中国公司进入内存产业对（韩）国内外波动效果分析及应对战略” 的研究中，估算了中国企业在 2022 年对韩国企业出口 DRAM 与 NAND Flash 的影响时指出，在 DRAM 市场上，2022 年韩国企业预计销售金额为 695 亿美元，如果中国公司加入竞争，则出口金额将降低到 628 亿美元，减少 67 亿美元。
至于，在 NAND Flash 市场上，2022 年韩国企业预计销售金额为 376 亿美元。而在中国企业加入竞争后，则可能降至 365 亿美元，减少 11 亿美元。再将这两种产品受中国企业的影响总金额的 78 亿美元金额来分析，这是未来的 4 年后中国企业能从韩国企业手中抢到的市场占有率。
报导进一步指出，在内存市场上，韩国的三星与 SK Hynix 两家公司都占据了相当大的市场占有率。其中，仅三星一家就能达到全球 DRAM 市场的 46%、NAND Flash 市场的 39%。而 SK Hynix 则是拥有全球 DRAM 市场的 29% 比率、NAND Flash 市场的 15% 市占率。
而受惠于近两年内存价格上扬，获利大幅提升的情况，三星、SK Hynix 都在加大投资。三星 2017 年不仅完成了全球最大的 NAND Flash 工厂，还投资 140 亿美元，预计将惟于韩国平泽市的 2 期 NAND Flash 工厂，改成 DRAM 工厂，建成后预计也是全球最大的 DRAM 工厂之一。SK Hynix 方面则不仅参加了 2017 年对东芝 NAND Flash 业务的竞标，还在中国无锡工厂继续投资 36 亿美元，建设新的 DRAM 工厂。
而面对韩国企业的不断扩大生产，中国相关企业也不惶多让。包括紫光集团旗下的长江存储在武汉建设的 3 期工程，首期工程是 NAND Flash 工厂，总投资金额达到 240 亿美元。至于，合肥长鑫也投资 72 亿美元左右，福建晋华则是投资约人民币 370 亿元，皆用于生产 DRAM 或 NAND Flash 的计划上。
但是，从韩国公布的资料来观察，虽然中国企业大举投资内存生产，但是，在 4 年后的 2022 年，抢到的市场占有率也只有 78 亿美元，不到韩国企业销售总金额的 10%，更别提在全球市场的市占率将会更低。因此，以 2017 年中国进口半导体芯片总金额达 2,600 多亿美元，其中大约四分之一都是内存来分析，再加入未来 4 年的成长率，2022 年中国企业的 DRAM 及 NAND Flash 即便全部自产自销，也仅占本土市场最多 10% 的占有率，以这样的情况来说，届时还是不能跟三星、SK Hynix、东芝等公司抗衡。
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