东芝（Toshiba）和 SanDisk 3 日宣布开发出 48 层的 3D NAND Flash（闪存）。外媒猜测，由于东芝和 SanDisk 是苹果两大内存供应商，这或许意味明年发布的 iPhone 7 将搭载这款新 NAND Flash芯片。
BGR 5 日报导，东芝和 SanDisk 采用 15 奈米制程，打造出新 3D NAND Flash，据称速度为业界之冠，并更具能源效益。尽管东芝新闻稿未提及可能客户，BGR 称，假定苹果沿用旧有供应商，这么一来新的 3D NAND Flash 或许将用于 iPhone 7。
BGR 猜测，东芝仅生产 32GB 3D NAND Flash，可能表示明年 iPhone 7 不会有 16GB 版本。据了解，东芝和 SanDisk 的新芯片 9 月试产，来不及用在 iPhone 6s。双方准备在 Fab 2 工厂量产新内存，新厂预定明年完工，由时程看来，或可赶上用于 iPhone 7。
computerworld.com 报导，内存卡巨擘 SanDisk 3 日宣布，与东芝共同开发出 48 层 256Gb 高密度 3D NAND 闪存，明年有望正式量产出货。东芝于今年 3 月首度对外发表 48 层 3D NAND 闪存，该芯片采用了东芝独步全球的 BiCS 技术，可在每单位晶体管塞进 3 位元的资料，储存容量可提升至 1TB，远远超过市面上主流产品。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/DigitPedia Gadgets CC BY 2.0）
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