全球 DRAM 芯片制程技术持续进化。据韩媒报导，韩国半导体巨头三星电子（Samsung Electronics）开出业界第一枪，顺利使用极紫外光（EUV）微影技术来量产第三代 10 奈米级（1z 奈米）LPDDR5 DRAM 芯片，有望将 DRAM 制程向个位数奈米制程推进。
《BusinessKorea》8 月 31 日报导，三星 30 日宣布，位于韩国平泽市的第二条半导体生产线，率先量产全球最先进的第三代 10 奈米级 LPDDR5 DRAM 芯片，拥有业界最高水准的容量和速度。
今年 2 月，三星已使用第二代 10 奈米级（1y 奈米）制程技术量产 16GB LPDDR5 DRAM。短短 6 个月后，该公司便进一步强化高阶行动 DRAM 的产品阵容，并成功导入新一代芯片生产技术。
SK 海力士（SK Hynix）为全球第二大 DRAM 厂，市占率仅次于三星。报导指出，SK 海力士正在研发以 EUV 技术生产第 4 代 10 奈米级制程（1a 奈米）的 DRAM，目标是在 2021 年实现量产，进度大约较三星落后半年至一年。
根据全球市场研究机构集邦科技（TrendForce）的数据，全球 DRAM 市场由三星和 SK 海力士稳居冠亚军，第二季市占率分别达到 43.5%、30.1%。
三星最新第三代 10 奈米级 LPDDR5 DRAM 芯片，传输速度最高可达 6,400MB/s，比目前市面上旗舰级手机所用的 12GB LPDDR5 行动 DRAM（5,500MB/s）快 16%。据三星表示，搭载 16GB 内存的智能手机，每秒可传送 51.2GB 的资料，约相当于 10 部 Full HD 电影。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：三星）
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