外媒报导，全球半导体企业为了先量产 200 层堆叠以上 NAND Flash 闪存，展开激烈竞争。韩国三星计划 2022 年底或 2023 上半年推出 200 层堆叠以上 NAND Flash 内存，2023 上半年开始量产供应市场。
韩国媒体《BusinessKorea》报导，三星电子原计划 2021 年底量产 176 层堆叠 NAND Flash 闪存，但考虑到那时市况，最后决定延后到 2022 年第一季。但美商内存大厂美光抢先量产 176 层堆叠 NAND Flash 闪存，市场人士预测，三星将加速 200 层堆叠以上 NAND Flash 闪存量产步伐，以夺回美光抢走的技术领先头衔。
三星预计 128 层堆叠单片内存上再叠 96 层，共推出 224 层 NAND Flash 闪存。产品推出后与 176 层堆叠产品相较，224 层堆叠 NAND Flash 闪存生产效率和数据传输速度可提高 30%。
目前除了三星积极布局 200 层堆叠以上 NAND Flash 闪存，其他还有美光和韩国内存大厂 SK 海力士，也在加速 200 层以上 NAND Flash 闪存开发，预计将是另一个 NAND Flash 闪存的决战领域。
(首图来源：三星)
