日本科技大厂富士通（Fujitsu）于 13 日宣布，研发出型号为 MB85RS64TU 的 64-Kbit FRAM。此款内存能在摄氏零下 55 度运行，为富士通电子旗下首款耐受如此低温的 FRAM 非挥发性内存，现已量产供货。
富士通指出，FRAM 是一种采用铁电质薄膜为电容器以储存资料的内存，即便在没有电源的情况下仍可保存资料。且 FRAM 结合 ROM 和 RAM 的特性，拥有高速写入资料、低功耗和高速读写周期的优点，富士通自 1999 年即开始生产 FRAM，亦称为 FeRAM。
FRAM 产品保证 10 兆次的读写周期，大约是竞争对手的非挥发性内存 EEPROM 的 1 千万倍。因此，许多需要频繁覆写资料的工业应用，例如即时资料记录与 3D 位置资料记录等，都采用 FRAM 产品。
富士通表示，新款 FRAM 支援范围极广，电源电压从 1.8 伏特至 3.6 伏特，并支援更低的运作温度，最低可达摄氏零下 55 度，超越竞争对手内存的最低运作温度。因能在运作温度范围内保证 10 兆次读写周期，故适合用于极寒地区挖掘天然气与石油的设备或机具等的工业机具，包括测量设备、流量计、机器人等一般工业应用。
FRAM 产品已推出业界标准的 8-Pin SOP 封装，使其取代 8-Pin SOP 封装的 EEPROM。此外，还提供拥有 2.00×3.00×0.75 毫米极小尺寸的 8-Pin SON 封装。SON 的表面贴装面积仅为 SOP 封装的 30%，贴装体积更仅为 SOP 的 13%，更适合用于轻量化的现代工具设备。
富士通表示，2017 年富士通发表能在摄氏 125 度环境运作的 FRAM 产品，扩展运行温度的高温极限。此次，再开发出零下 55 度产品，进一步扩展运行温度的低温极限。
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