21 日科技新报才揭露，统筹中国内存规划的武汉新芯新厂将于 28 日举行动土仪式，基地启动典礼于今早在武汉东湖高新区举行，中国内存产业再跨一大步。
今 28 日由武汉新芯所擘划的内存基地于武汉东湖高新区举行启动典礼，除了武汉新芯CEO 杨世宁，包含清大微电子所所长魏少军、中国科学院微电子研究所所长叶甜春也到场出席动土，魏与叶也同时为统筹中国核心电子元件、高阶芯片及整体奈米制程发展等项目的国家 01 、02 专项总师。
该内存基地五年内投资金额将达 240 亿美元，包括中国大基金、湖北省积体电路产业投资基金、国开发展基金、湖北省科技投资集团皆参与投资，在武汉新芯基础上组建一家内存公司，做为内存基地专案实施主体公司。
据科技新报取得的消息，新的内存基地将分三期，总规划面积约 100 万平方米，一期将于今年 8 月正式开工，预计 2018 年建设完成，月产能约 20 万片，而官方目标到 2020 年基地总产能达 30 万片/月、2030 年来到 100 万片/月。
据悉，官方期望这一内存基地专案能集内存产品设计、技术研发、晶圆生产于测试、销售于一体，但初步将先行建造 Flash 厂，同样生产 NOR 型 Flash，并逐步移转至 NAND Flash 产品，甚至 3D NAND Flash，2015 年 5 月，武汉新芯才与 NOR 内存厂商飞索半导体（Spansion）签订合作协议与交叉授权发展 3D NAND Flash 技术，调研机构集邦科技预估，武汉新芯将在 2017 年底或 2018 年初推出 3D-NAND Flash 的产品来切入闪存储存产业，透过尽早导入新技术的方式，缩短与现今国际 NAND Flash 大厂的差距。
此次启动的内存基地专案所在的东湖高新区，为继北京中关村后的第 2 个国家自主创新示范区，被誉为“中国光谷”，已成为中国高新科技产业和参与国际竞争的主力军，2015 年企业总收入突破兆元人民币。在 115 个中国国家级高新区中综合排名第三、科技创新能力排名第二。
官方称，武汉新芯内存基地专案建成后，可带动设计、封装、制造、应用等芯片产业相关环节的发展，集合已经在光谷地区形成规模的显示产业（天马、华星光电）、智能手机产业（华为、联想、富士康），打造万亿级的芯片─显示─智能手机全产业链生态体系。
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