联电 6 日与 ST-MRAM（自旋转移力矩磁阻 RAM）厂商美商 Avalanche 共同宣布，两家公司将成为合作伙伴，共同开发和生产取代嵌入式内存的磁阻式随机存取内存（MRAM）。同时联电也将透过 Avalanche 的授权提供技术给其他公司，并透过授权提供客户具有成本效益的 28 奈米嵌入式非挥发性 MRAM 技术。
联电表示，根据此次合作协议，公司于 28 奈米 CMOS 制程上可提供嵌入式非挥发性 MRAM 区块供客户将低延迟、超高效能及低功率的嵌入式 MRAM 内存模组整合至应用产品，并锁定在物联网、穿戴装置、消费型产品，以及工业、车用电子市场的微控制器（MCU）和系统单芯片（SoC）上。
此外，两家公司也正考虑将合作范畴扩展至 28 奈米以下的制程技术，利用 Avalanche 在 CMOS 技术的相容及可扩充特性，运用到各个先进制程。联电指出，此举使这些统一内存（非挥发性及静态随机存取内存 SRAM）能顺利移转调配到下一世代的高整合性的微控制器和系统单芯片上。如此一来，系统设计者就可以在同样的架构及连带的软件系统上直接修改而不需重新设计。
联电先进技术处副总经理洪圭钧也表示，公司不断推出持续精进的制程技术，以提升客户的竞争优势。而随着嵌入式非挥发性内存 NVM 解决方案在目前的芯片设计界日趋普及，已经为高成长的行业，如新兴消费和车用电子应用的客户，建立了强大且坚实的嵌入式非挥发性内存解决方案组合；很高兴和 Avalanche 合作开发 28 奈米 MRAM，更期待能将此合作进程推升至联电客户的量产阶段。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：联华）
