虽然韩国 DRAM 厂商传出增产，但分析师认为，制程转换将导致产能减损，业界的整体总产能仍将下滑。
美国知名财经网站霸荣（Barron`s.com）14 日报导，J.P.摩根发表研究报告指出，行动 DRAM 需求明显攀高，已在 2015 年首度超越 PC DRAM，其中 LPDDR4 成为高阶智能手机的主流内建规格，估计苹果（Apple Inc.）、三星电子（Samsung Electronics）的高阶智能手机未来两年会占整体智能手机行动 DRAM 需求的 40% 以上。
因此，J.P.摩根预估，在 iPhone 容量升级逾 2GB、64 位元应用处理器 / Android 5.0 带动 Android 智能手机阵营升级的提振下，行动 DRAM 的容量成长率会加快到 2016 年。
另外，厂商由 PC DRAM 转为行动 DRAM、DDR3 转为 DDR4 这两大主流趋势，会各自导致良率折损 10% 以上，再加上制程技术转换至 20 奈米所损失的产能，预估就算三星、SK 海力士（SK Hynix）决定增产，整体业界的 DRAM 总产能也会年减至少 3%，进而让 2015 年 DRAM 位元供应量的成长率限制在 30% 以下，不如 2014 年的 35%。
J.P.摩根预估，2014-2016 年期间，NAND 型闪存的整体销售额复合年增率（CAGR）将达 11%，高于 DRAM 的 8%。由于 DRAM 业者的营收与股价有高度关联性，而该证券又预期 DRAM、NAND 型闪存销售额会在 2015 年第 2 季呈现季增，因此内存类股最近有望反弹。
J.P.摩根看好的内存类股依序为：三星、东芝（Toshiba）、 SK Hynix、美光（Micron Technology）与华亚科。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/James Bowe CC BY 2.0）
