半导体大厂英飞凌（Infineon）今日宣布，和 Panasonic 公司已针对共同开发及生产第二代（Gen2）氮化镓（GaN）技术签订合约，基于已获认可接受的 GaN 技术，Gen2 技术将提供更高效率和功率密度水准。另外，为了因应市场需求，Gen2 将会开发为 650V GaN HEMT；该装置具备易使用性和更高的性价比，主要应用包括高功率与低功率的 SMPS 应用、再生能源、马达驱动等。
对许多设计而言，氮化镓可提供比硅更多的基础优势。与硅 MOSFET 相比，GaN HEMT 具备出色的特定动态导通电阻和较小的电容，因此符合高速切换的要求。能达到省电、系统总成本降低、可在较高频率下操作、提高功率密度和整体系统效率等效益，使 GaN 成为对设计工程师而言极有吸引力的选项。
也因此，英飞凌携手 Panasonic，加速 650V GaN 功率装置的技术发展，全新 650V GaN 第 2 代装置预计将于 2023 年上半年上市。英飞凌电源与感测系统事业部总裁 Andreas Urschitz 表示，除了具备与第 1 代相同的高可靠性标准外，由于改采 8 吋晶圆制造，客户将可受惠于更易于控制的晶体管以及大幅改善的成本定位。
Urschitz 进一步指出，如同双方合作开发的第 1 代装置，第二代装置将会以常关型硅基氮化镓（GaN-on-silicon）晶体管结构为基础。在此基础上结合混合汲极嵌入式闸极注入晶体管（HD-GIT）结构无可比拟的稳固性，让这些元件成为市场上的首选产品，同时成为长期最可靠的解决方案之一。
（首图来源：英飞凌）
