Bernstein Research 先前痛批三星电子心狠手辣，意图在内存界赶尽杀绝，铲除 SK 海力士（SK Hynix）、美光（Micron），剩下一家独大。对此，Brean Capital 看法不同，Brean Capital 较为乐观，认为业者为了追求利润，DRAM 和 NAND Flash 产出不致失控；并指出智能手机的内存需求大增，价格将逐渐回稳。
霸荣（Barronˋs）网站、韩媒 etnews 报导，Brean Capital 的 Mike Burton 表示，英特尔的大连工厂改为 3D NAND Flash 厂，预定今年下半投产。由于三星已经开始生产 3D NAND，其他业者也陆续跟进，不少人担心可能会供给过剩。Burton 认为，各厂应会有所节制，携手追求最大利润。
Burton 并指出，目前只有三星有能力制造 3D NAND，其他业者要到今年下半才开始生产。3D NAND 采用较旧制程（35~50 奈米），业者能以较低成本提高产能。英特尔主管 David Lundell 表示，预计大连厂会在今年底量产 3D NAND。
DRAM 方面，Burton 预期需求飙升，价格将逐渐稳定。举例而言，苹果 iPhone 6s 内建 DRAM 加倍，增至 2GB，iPad Pro 内存也增至 4GB。高阶 Android 机种内存达 3GB，三星 S7 更内建 4GB DRAM。
美光 15 日上涨 2.79% 收在 10.69 美元，不过今年迄今仍大跌 24.51%。
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