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AI 内存商机可期,传三星拟大幅增产 3D DRAM

2024-11-02 207

专为高效能 AI(人工智能)处理器与服务器打造的 3D 堆叠 DRAM,传三星计划增产 30 倍。

3D DRAM 采用硅穿孔(Through Silicon Via)技术,可将 DRAM 芯片垂直堆叠,由于进出通道加宽,传输速度也大幅加快。

韩国媒体 ETnews 引述产业消息报导指出,三星最近向设备供应商订购新型 20 台热压接合封装机(TCB),这是硅穿孔技术的必要设备,且按理来说,新机具产出是原有机台的 8 倍。新 TCB 机台今年底可就定位,预估届时三星硅穿孔制程产能将可增加 30 倍之多。

英特尔与 Nvidia 现均朝 AI 积极发展,也都是三星潜在客户群。除此之外,日前有消息指出苹果正在开发 AI 专属芯片,将用以处理脸部与语音辨识等工作,可应用于 iPhone 与 iPad 等装置,三星显然已嗅到这股 AI 内存的新商机就在不远处。

(本文由 MoneyDJ新闻 授权转载;首图来源:shutterstock)

2019-03-19 05:30:00

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