据韩国媒体最新报导，三星半导体目前已经研发出了世界上第一颗基于 10nm FinFET 制程的 SRAM。其实 IBM 半导体联盟早在今年 7 月就制造了世界首个 10nm 的晶圆，但由于 10nm 制程的技术难题，各大半导体厂家都相继延后了它们的 10nm 制程计划。
所谓的 SRAM 中文译名是静态随机存取内存，大多数用于 CPU 快取内存，基于 10nm 的 SRAM 相比于 14nm 而言，其面积可减少 30% 左右，这意味将一定程度的降低 CPU 的功耗以及发热，同时能以更小的面积塞进更多内存，提高 CPU 的性能。
就目前各家的 10nm 进展而言，IBM 的商用 10nm 制程最快也要 2018 年才面世，Intel 的 10nm 也延后到 2017 年，台积电方面曾宣布将在 2017 年第一季量产 10nm CPU，而根据三星目前的计划以及进展，10nm 的量产 CPU 最快可在 2016 年底达成，也许 Galaxy S8 还能赶上 10nm SoC 的首发呢。
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