CES 2020 热闹举行，AMD 与英特尔两家处理器大厂都在会场发表全新处理器，虽然这些处理器预估还是支援 DDR4 内存，但传输量越来越大，必须拥有越来越快传输速度内存，下一代 DDR5 内存已开始准备量产。根据外电报导，美商内存大厂美光（Micron）7 日正式宣布，开始向客户出样最新 DDR5 内存，以第 3 代 10 奈米级 1z 奈米制程打造，性能提升 85%。
美光表示相较 DDR4 内存，DDR5 标准性能更强，功耗更低，起步频率至少 4800MHz，最高 6400MHz。其他性能提升还有电压从 1.2V 降到 1.1V，同时每通道 32/40 位（ECC）、总线效率提高、增加预取 Bank Group 数量等。
美光现在出样的 DDR5 内存使用最新 1z 奈米制程，大概是 12 到 14 奈米节点，ECC DIMM 规格，频率 DDR5-4800，比现在 DDR4-3200 内存性能提升 87% 左右，不过距离 DDR5-6400 效能还有点距离，还有提升的空间。
对新一代 DDR5 内存来说，平台支援与否才是最大问题。目前还没有正式支援 DDR5 内存的平台，因此要买到内建 DDR5 内存的产品还要等一段时间。AMD 预计 2021 年 Zen4 架构处理器更换界面，开始支援 DDR5 内存，英特尔则是 14 奈米及 10 奈米制程处理器都没有明确规划支援 DDR5 内存。根据英特尔蓝图，要到 2021 年 7 奈米制程处理器 Sapphire Rapids 才开始支援 DDR5，且还是以服务器处理器为主，消费级处理器产品预计还要再晚。
据美光之前说法，正在生产第 2 代 10 奈米级 1y 奈米制程技术的 12 Gb LPDDR4X 及 16 Gb DDR4 内存，未来客户针对 DDR5 内存试样完成后，将开始准备 1z 奈米产线生产，但美光尚未决定 1z 奈米产线是否导入 EUV 极紫外光科设备，而竞争对手三星已在 1z 奈米制程导入 EUV 设备。
（首图来源：科技新报）
