韩国三星为了多元化营收来源，这两年晶圆代工业务为重点发展项目，2018 年率先推出 7 奈米 EUV 制程，抢在台积电、格罗方德与英特尔之前推出。但三星如今似乎“吃紧弄破碗”，FinFET 制程惹上了麻烦。根据韩国媒体报导，上周三星被美国法院判决，侵犯自家韩国科学技术院（KAIST）的专利，需赔偿 4 亿美元。但三星对此表示不服，将再提出上诉。
报导指出，三星与 KAIST 在 FinFET 制程的争议已久。KAIST 在本次诉讼表示，当时还在 KAIST 工作的教授 Lee Jong-ho，2001 年向三星展示过 FinFET 技术，但三星起初对 FinFET 制程并不在意，直到后来看到英特尔 FinFET 量产之后，三星也加快 FinFET 制程开发。三星就使用了 Lee Jong-ho 教授的 FinFET 制程为基础，改进本身的 FinFET 制程，2011 年推出跟 Lee Jong-ho 教授研发的 FinFET 制程相近的 FinFET 制程技术。
就因为这样，KAIST 跟三星结下了梁子。2016 年，KAIST 在美国德州知识产权局控告三星，宣称三星 FinFET 制程侵犯了他们的专利权。三星回应表示，他们是跟 KAIST 合作开发 FinFET 制程，并质疑 KAIST 的 FinFET 专利有效性。不过，陪审团没有听三星的理由，最终在上周判决三星侵犯 KAIST 的 FinFET 专利权成立，需赔偿 KAIST 约 4 亿美元。
对审判结果，美国德州知识产权局陪审团认为，三星侵权是故意的，4 亿美元的赔偿还不是最后结果，未来甚至有可能被判最重罚款 12 亿美元。三星方面则对判决表示不服，指出将考虑所有可能的选项，以在未来上诉后获得合理的判决。此外，这起侵权案还涉及高通与格罗方德，他们也被判侵权成立。不过，法院方面并没有要求他们赔偿任何损失。
（首图来源：Flickr/g0d4ather CC BY 2.0）
