相较于 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才导入量产，加速 20 奈米制程转换，在 2016 年才要进入 18/16 奈米制程竞赛的同时，早已抢先导入 20 奈米的三星，现在直接丢出 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM 量产的震撼弹，意图大幅甩开对手纠缠。
三星在 5 日宣布量产 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM，抢先 DRAM 大厂推出 10 奈米制程产品。三星指出，新的 10 奈米 8Gb DDR4 资料传输率可达 3,200 Mbps，较上一代 20 奈米 8Gb DDR4 速度提升 30%；并较 20 奈米相同产品省下 10~20% 的电力，这对于高效能运算（HPC）、资料中心或大型企业网络而言，有一定的吸引力，除了 PC 以外，三星加速抢攻 IT 设备市场的企图明显，10 奈米产品线涵盖 4GB PC 模组，到 128 GB 企业用服务器，预估年底将大量供货。而三星也预告，今年稍晚将会推出 10 奈米制程 mobile DRAM，进入 ultra-HD 智能手机时代。
当制程转进 10 奈米，微缩更加不易，不过，三星这次还是用 ArF 浸润式微影技术，还未用到被视为 10 奈米以下制程微缩关键的极紫外光（EUV）微影技术。不同于 NAND Flash，DRAM 一个记忆胞（cell）就有一个晶体管与电容，当制程下到 10 奈米，线宽狭小到难以直接将电容堆叠于上头，三星利用四重曝光（quadruple patterning technology,QPT）技术，来改变 10 奈米记忆胞结构，让晶体管与电容足以有空间做连结。
DRAM 制程转进为什么变得缓慢？
电容问题，成为 DRAM 转进 10 奈米以下制程的技术难点，另一方面，内存大厂在先前 DRAM 大崩盘下咬牙苦撑下来，却仍旧面临市况持续不佳的景况，近几年制程的提升逐渐变得缓慢，也大幅降低投资的比重，当逻辑制程已来到 14/16 奈米，内存制程才在 20 奈米，逐步要踏进 18/16 奈米而已，但对横跨内存与晶圆代工的三星而言，即拥有掌握内存市场技术转进的本钱。
三星与台积电、英特尔之间的逻辑制程竞赛，已进入 10 奈米以下制程争战，由于内存制程较逻辑制程容易，台积电、三星通常都以 SRAM、DRAM 来练兵，制程的转进先从内存下手，当良率提升到一定程度再导入逻辑产品。
三星在 2015 年 11 月中即发表 10 奈米 FinFET SRAM，三星在制程技术即领先内存群雄，现在 DRAM 制程一举转进 10 奈米，借此狠甩对手的意图不言可喻。
台积电在去年 12 月底，于供应链管理论坛也透露，早已成功以 7 奈米制程产出 SRAM，而且预告供应链伙伴可开始准备 5 奈米，接下来逻辑制程竞赛同样可期，依台积电与三星先前说法，10 奈米制程量产约在 2016 年底，英特尔第一颗 10 奈米 CPU 则延至 2017 年下半。不只内存制程竞赛出现大变化，逻辑制程竞赛同样可期。
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（首图来源：三星官网）
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