三星电子（Samsung Electronics Co.）刻意压低 DRAM 价格与对手竞争，让美光（Micron Technology, Inc.）股价惨跌。不过，随着 DRAM 毛利骤缩，三星传出要积极扩张具有寡占性的 3D NAND 产能，消息传来也带动其股价强弹。
韩国媒体中央日报日文版甫于 6 月 19 日报导，因固态硬盘（SSD）需求提振 3D 架构的 NAND 型闪存（Flash Memory）需求呈现急速增长，故三星计划把生产 3D NAND 的中国西安半导体工厂产量较现行扩增 50%。报导指出，据熟知三星事务的关系人士透露，目前三星西安工厂晶圆月产量为 4-5 万片，而三星计划于今年底前将其产量提高 5 成（增加 2 万片）至 6-7 万片。
barron`s.com 随后于 23 日报导，虽然美光与英特尔（Intel Corp.）已在 3 月发表最新 3D NAND 技术，还宣称厂房已开始投产、预计今年底就会产能全开，但瑞士信贷分析师 Keon Han 与团队发表研究报告指出，三星在 3D NAND 领域拥有独特优势，因为该公司可将 3D NAND 直接卖回给自己，而在客户需求前景较为稳定下，三星能够直接打造全新的 3D NAND 厂房，不需要像竞争对手那样把旧友厂房升级来节省成本。瑞信认为，三星未来 2 年在 3D NAND 市场都不会面临太多竞争。
摩根士丹利分析师 Shawn Kim 也指出，三星预估今年下半年需求主要还是由 3D NAND 固态硬盘（SSD）带动，除了来自美国大客户的订单外，低阶 PC 逐渐采用 SSD 也将提振需求。第三代 48 层的 3D NAND 成本效益高于平面的 NAND 型闪存，因此 3D NAND 已不再是压低毛利率的祸首。
嘉实 XQ 全球赢家系统报价显示，三星电子收盘价在 6 月 17 日（1,254,000 韩圜）创去年 11 月 26 日以来新低后，自 6 月 18 日起连弹 4 个交易日，但今日却出现拉回，开盘迄今最多一度下挫逾 2%。
（本文由 MoneyDJ新闻 授权转载；首图来源：Flickr/General Physics Laboratory (GPL) CC BY 2.0）
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