半导体硅晶圆厂环球晶 22 日与国立交通大学签署备忘录，将共同成立化合物半导体研究中心，开发包括碳化硅（SiC）等第三代半导体材料技术。
交大代理校长陈信宏表示，SiC 和氮化镓（GaN）是非常具有发展前景的半导体材料，在 5G、电动车等应用上，是相当重要的成功关键。
陈信宏指出，交大结合多所学校相关研究的教授群，以化合物半导体材料研究和人才培育计划为主轴，与环球晶共同合作加速开发 SiC 和 GaN，建立产学互馈循环机制，并培育国际级研发团队，以利提升台湾半导体产业在全球的竞争实力。
环球晶表示，在 SiC 和 GaN 领域已深耕多年，并开发多项专利，具有完整的生产线，这次与交大合作，希望结合各自的专业领域与技术优势加速发展，创造营运成长新契机。
（作者：张建中；首图来源：shutterstock）
