根据韩国媒体《Etnews》报导指出，目前全球 3 大 DRAM 内存中尚未明确表示采用 EUV 极紫外光曝光机的美商美光（Micron），因日前征才网站开始征求 EUV 工程师，揭露美光也在进行 EUV 运用于 DRAM 先进制程，准备与韩国三星、SK 海力士竞争。
报导指出，美光征才叙述是“企业内部开发 EUV 应用技术，并管理新 EUV 系统，以及与 EUV 设备制造商艾司摩尔（ASML）沟通”，工作地点就在美光总部美国爱达荷州。美光已开始生产第 3 代 10 奈米级（1z）DRAM 内存，预计 2021 上半年大量生产第 4 代 10 奈米级（1a）DRAM 内存。与竞争对手三星、SK 海力士不同的是，美光不打算将 EUV 技术运用在第 4 代 10 奈米级 DRAM 内存，而是未来第 7 代 10 奈米级（1d）DRAM 内存。
内存与 CPU 逻辑制程一样，近年面临制程需微缩的问题。如果使用 EUV 曝光技术，可减少多重曝光过程，提供更细微的制程精度与良率，进一步减少产品生产时间并降低成本，还可提高效能。只是 EUV 曝光设备每部单价近 1.5 亿欧元，初期投资成本较深紫外光曝光设备（DUV）高许多，因此会让厂商考虑再三。美光先前就是因成本考量，加上采用 DUV 设备打造的 DRAM 符合市场需求，因此时程落后三星及 SK 海力士。
目前三星已在第 3 代 10 奈米级 DRAM 内存生产导入 EUV 技术，且还预计 2021 年发表第 4 代 10 奈米级的 DRAM 内存生产增加 EUV 技术。至于 SK 海力士则将在 2021 年量产第 4 代 10 奈米级 DRAM 内存导入 EUV 技术，目前 SK 海力士也分批导入 EUV 设备，预计在京畿道利川市的新 DRAM 工厂建立 EUV 技术产线。
相较两家竞争对手已导入或正导入 EUV 技术，美光显然落后。外界解读这次美光招聘 EUV 工程人员，目的在于先研究 EUV 运作技术，以在未来正式推出相关技术的产品。因市场预期内存市场将逐渐迎接正循环周期，美光也借此储备未来市场竞争的最佳能量。
（首图来源：科技新报摄）
