三星考虑明年扩大 DRAM 产能提高竞争门槛，恐改变目前供给紧俏局面

根据 TrendForce 旗下内存储存研究（DRAMeXchange）调查，由于 DRAM 厂近两年来产能扩张幅度有限，加上制程转换的难度，DRAM 供给成长明显较往年放缓，配合着下半年终端市场消费旺季的推波助澜，DRAM 合约价自 2016 年中开启涨价序幕。然而，三星传出在考虑提高竞争者进入门槛下，可能将扩大 DRAM 产能，恐将改变 DRAM 供给紧俏局面。

DRAMeXchange 研究协理吴雅婷指出，以主流标准型内存模组（DDR4 4GB）合约价为例，从去年中开始起涨，由当时的 DDR4 4GB 13 美元均价拉升至今年第四季合约价 30.5 美元，报价连续 6 季向上，合计涨幅超过 130%，带动相关 DRAM 大厂获利能力大幅提升。截至目前为止，三星第二季 DRAM 事业营业利益率来到 59%，SK 海力士也有 54% 的表现，美光亦达 44%。展望第四季，DRAM 合约价持续上涨，各家厂商的获利能力亦可望继续攀升。

三星扩产目的维持 1-2 年技术领先，提升新进者进入门槛

正因 DRAM 产业已进入寡占格局，理论上厂商对于高获利的运作模式乐观其成，然而，在连续数季内存价格上升的带动下，SK 海力士、美光皆累积许多在手现金。有了丰沛的资源，SK 海力士将在年底进行 18nm 制程转进，无锡二厂也将在明年兴建，预计 2019 年产出；美光借着股价水涨船高之际宣布现金增资，代表未来在盖新厂、扩张产能与制程升级上预做准备，此举无疑激起三星的警戒心，使得三星开始思索 DRAM 扩产计划。

三星可能采取的扩产动作，除了是因应供给吃紧状况，最重要的是借由提高 DRAM 产出量，压抑内存价格上涨幅度。虽然短期内的高资本支出将带来折旧费用的提升，并导致获利能力下滑，但三星着眼的是长期的产业布局与保有其在 DRAM 市场的领先地位，以及与其他 DRAM 大厂维持 1~2 年以上的技术差距。此外，明年堪称中国内存发展的元年，三星透过压低 DRAM 或是 NAND 的价格，将能提升中国竞争者的进入门槛，并使竞争对手亏损扩大、增加发展难度并减缓其开发速度。

SK 海力士与美光可望跟进扩产，2018 年 DRAM 供给成长率将达 22.5%

DRAMeXchange 指出，三星有意将其平泽厂二楼原定兴建 NAND 的产线，部分转往生产 DRAM，并全数采用 18nm 制程，加上原有 Line17 还有部分空间可以扩产，预计三星此举最多将 2018 年 DRAM 产出量 80-100K，也代表三星的 DRAM 产能可能由 2017 年底的 390K 一口气逼近至 500K 的水准，亦将带动三星明年位元产出供给量由原本预估的 18% 成长上升至 23%。

从整体 DRAM 供给来看，2018 年供给年成长率将来到 22.5%，高于今年的 19.5%，亦即明年 DRAM 供需缺口将可能被弥平，预期 SK 海力士与美光将加入军备竞赛以巩固市占可能性高，为 DRAM 市场增添新的变数。

然而，DRAMeXchange 认为，三星此举将可能改变 DRAM 市场供给紧俏格局，只是修正目前竞争对手的超额利润，降为较合理获利结构；再者，随着大厂将部分投资重心由 NAND Flash 转往 DRAM，将可望降低明年 NAND Flash 供过于求的情形，并进而减缓整体 NAND Flash 平均售价（average selling price）下滑的速度。三星扩厂或许对 2018 年 DRAM 市场将带来部分冲击，但就整体内存产业的长期发展来看未必是负面讯息。

（首图来源：shutterstock）