日前，日媒 《日经亚洲评论》 引用消息人士的说法报导指出，中国内存大厂长江存储计划 2021 年将产量提高一倍，达到月产能 10 万片晶圆的规模。同时，长江存储还计划最早将于 2021 年中试产第一批 192 层堆叠的 3D NAND Flash 闪存。不过，为了确保量产内存的品质，该计划有可能会被延迟到 2021 年下半年。对于相关报导，长江存储官方微信号在 1 月 13 日发表声明，指出报导的相关内容并非事实，将保留相关法律追诉权。
根据 《日经亚洲评论》 的报导，消息人士指长江存储计划在 2021 下半年，将内存芯片的月产量倍增至 10 万片晶圆，约占全球产出 7%。相较之下，全球最大 NAND Flash 闪存制造商三星的月产能为 48 万片晶圆，美国最大内存厂商美光则为月产能 18 万片晶圆。
而除了扩产现有内存产品之外，长江存储也打算加快科技发展进程。消息透露，长江存储最快 2021 年中就会试产第一批 192 层堆叠 3D NAND Flash闪存。目前生产以 64 层堆叠与 128 层堆叠的产品为主。虽然，计划可能拖延至 2021 下半年，也需要时间来确保量产品质。不过，这项时间表对于中国本土芯片业者而言，仍是一大进步。
而对于日媒的报导，长江存储官方微信号在 1 月 13 日发表声明，指出报导的相关内容并非事实，将保留相关法律追诉权。长江存储的声明全文如下；
近日，长江存储科技有限责任公司 （以下简称“长江存储”或“我司”） 发现个别境外媒体通过多种管道刊登、散布关于我司产能建设、产品销售等不实言论，长江存储特此发表严正声明：
长江存储自 2016 年 7 月成立至今，始终秉承守法合规的经营理念，在国内外各项实际工作中，长江存储严格遵守当地的法律法规，所提供的产品与服务面向商用及民用客户。关于公司下一步建设计划具体情况请以公司官方管道为准。
长江存储将保留对发布不实报导与言论的境内外个别媒体和记者，以及转发或协助散播不实报导的组织或个人依法追究法律责任的权利。
(首图来源:官网)
