韩国经济日报（Korea Economic Daily）15 日报导，三星电子（Samsung Electronics Co.）打算在 2017 年底前扩充 3D NAND 型闪存产能，总共要斥资 25 兆韩圜，主要扩产的是位于中国西安的厂房，预定今年稍晚会于该厂新设一条 3D NAND 生产线，另外还将在韩国平泽市的厂房投入资本。虽然根据韩国时报报导，三星电子已在 15 日稍早否认上述消息，宣称 3D NAND 的投资内容尚未敲定，但分析师似乎认为韩媒的报导内容相当可信。
barron`s.com 16 日报导，J.P. 摩根发表研究报告指出，三星应该会在今年底将 3D NAND 的月产能拉高至接近 16 万片晶圆（西安厂 12 万片、Line 16 厂接近 4 万片）。三星的西安厂目前已接近产能全开，且该公司还计划把 Line 16 厂的部分 2D NAND 产能转换为 3D。
另外，三星也将善用 Line 17 厂在 2 楼的空间，于明年投产 3D NAND。依据上述假设，J.P. 摩根估计三星明年底的 3D NAND 月产能将攀升至 22 万片（西安厂 12 万片、Line 16 厂近 6 万片、Line 17 厂近 4 万片），等于比今年底的月产能（16 万片）扩充 37.5%，并占业界总体产能的 12%。
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