在发光二极管（LED）繁复的磊晶制程中，气体组成和流量、压力、基板温度和转速等参数会交互影响，往往需要花很长的时间来设定及调整磊晶参数，根据以往经验，做一组参数需要 6 到 8 小时，找出最佳化制程参数往往耗费一周，而且必须仰赖具多年磊晶制程经验人员判断参数设定，才能得出更好的良率，因此“人”成为良率高低的关键所在。
如何让经验判断成为可供参考的数据模拟，工研院尝试着将实验参数导入巨量数据库，透过相关参数的优化，节省制程开发验证的时间，开发出“磊晶制程参数优化系统”，透过知识系统的建立，也能缩短相关人才的养成时间。
工研院研发的磊晶制程参数优化系统，是以有机金属化学气相沉积设备（MOCVD）的气流、热流、化学反应机制与气体喷洒头关键模组虚实整合技术，突破传统磊晶厂找出最佳化制程参数方式。此项磊晶制程数字化制造技术，也就是导入ECOS（Epitaxy Optimum Coupling System）这个虚实整合系统（Cyber-Physical System，CPS）。在这个系统中，“实体”部分是指结合机台与制程的气体喷洒模组；“虚拟”部分则是指制程参数数据库。透过工研院进行的测试，研发团队已能掌握气体喷洒模组性能，以及制程参数数据库的操作方式及参数调控准确度。
透过此一开发成果，不仅制程准确性获得提高，磊晶参数决定时间从原来一周缩短为不到 2 小时，透过将经验数值化，也能将人员异动对制程所造成的影响降至最低。
