就在日前，中国内存厂长江存储正式发表 128 层 TLC/QLC NAND Flash 闪存之后，目前市场上的内存龙头──韩国三星也正紧锣密鼓的研发下一代 3D NAND Flash 闪存，预计其对叠层数可高达 160 层，期望藉以拉开与其他竞争对手的领先差距。
根据韩国媒体《ETnews》的报导，三星目前正在开发具有 160 层堆叠的第 7 代 V-NAND 闪存，而且再相关方面的技术也取得重大进展。目前，三星的第 7 代 V-NAND 闪存将采用“双堆叠”的技术来达到更多堆叠层的目的，这样可以使得容量更大，使用范围也更加广泛。就现阶段来说，如果完成 160 层堆叠的 V-NAND 闪存开发，将会是业界对高堆叠层数的产品，超越目前最大的 128 层堆叠产品。
报导指出，目前尚未有相关内存企业完成 160 层堆叠的 3D NAND Flash 闪存开发与生产。不过，包括韩国的三星和 SK Hynix 等内存厂都已经在 2019 年宣布了这个发展规划。也由于中国厂商长江存储在日前宣布开发成功 128 层的 TLC/QLC NAND Flash 闪存，并宣布 2020 年将大量生产计划，这也使得三星决定加进脚步开发 160 层堆叠的 3D NAND Flash 闪存，藉以成为拉大与竞争对手技术差距的垫脚石。
报导进一步指出，在内存产业中，这称为 3D NAND Flash 的闪存，三星则是称为 V- NAND 闪存。其重要的技术就在于是可以生产出多少堆叠层的产品，这是 3D NAND Flash 闪存厂商的核心竞争力，而目前三星是被公认为业界技术最先进的厂商。另外，三星在 2019 年也以 166.7 亿美元（约 20 兆韩圜）的营收，在全球 3D NAND Flash 闪存市场上成为龙头，市占率达到 35.9%。
另外，特别值得一提的是，尽管武汉肺炎疫情的爆发，三星仍继续进行内存生产与研发的投资而没有中断或减少，其中包括了位于中国西安的 NAND Flash 闪存工厂的扩产。而追随三星的脚步，韩国的另一家内存大厂 SK Hynix 也在 2020 年恢复了内存产品的投资。由于内存为韩国的重要产业，因此预计未来的投资还将持续扩大。
(首图来源:三星)
